第一次买进

bai188 · 发表于 2006-4-29 05:57

益通光能（3452）今天公佈與M.SETEK CO., LTD.（簡稱M.SETEK）簽訂長達10年的供貨合約，雙方約定未來10年內M.SETEK將依合約價格供應益通總量約1.64億（約400MW）之太陽能矽晶圓。利多激勵，益通股價今天開盤漲停。
益通公司需於今年預付一定金額之貨款。這項長期供料合約將有助益通產能擴充。

益通股價早盤在此訊息激勵下，開盤跳空漲停攻抵998元價位，貼近千元大關，唯追價買盤不夠積極，未能強勢鎖住漲停價。

bai188 · 发表于 2006-4-29 05:59

益通产品规格
4" Single-crystalline Solar Cell Catalog
  Size: 103mm x 103mm ± 0.5mm (pseudo-square)
Thickness: 350μm ± 40μm
Features: 1.Advanced Process Technology
  2.High Efficiency
  3.Long Lifetime 20 years
  4.No residual dark point

bai188 · 发表于 2006-4-29 06:00

益通产品规格

Conversion Effeciency(%) Rated power(Wp) Maximum PowerCurrent(A) Maximum PowerVoltage(V) Short CircuitCurrent(A) Open CircuitVoltage(V)
ETS4100 <10 <1.04 <2.26 0.460 2.80±5﹪ 0.572 ±5﹪
ETS4110 10-11 1.04-1.14 2.26-2.48 0.460 3.08±5﹪ 0.572 ±5﹪
ETS4120 11-12 1.14-1.25 2.48-2.72 0.460 3.24±5﹪ 0.575 ±5﹪
ETS4130 12-13 1.25-1.35 2.72-2.90 0.465 3.40±5﹪ 0.585±5﹪
ETS4140 13-14 1.35-1.46 2.90-3.12 0.468 3.66±5﹪ 0.585±5﹪
ETS4145 14-14.5 1.46-1.51 3.12-3.21 0.470 3.72±5﹪ 0.588±5﹪
ETS4150 14.5-15 1.51-1.56 3.21-3.28 0.475 3.85±5﹪ 0.588±5﹪
ETS4155 15-15.5 1.56-1.61 3.28-3.39 0.475 3.92±5﹪ 0.588±5﹪
ETS4160 15.5-16 1.61-1.66 3.39-3.46 0.480 3.99±5﹪ 0.588±5﹪
ETS4165 16-16.5 1.66-1.72 3.46-3.55 0.485 4.05±5﹪ 0.589±5﹪
ETS4170 16.5-17 1.72-1.77 3.55-3.61 0.490 4.00±5﹪ 0.589±5﹪
ETS4175 17-17.5 1.77-1.82 3.61-3.68 0.495 4.07±5﹪ 0.589±5﹪
ETS4180 17.5-18 1.82-1.87 3.68-3.78 0.495 4.07±5﹪ 0.590±5﹪

bai188 · 发表于 2006-4-29 06:10

太陽電池的材料
太陽輻射之光譜，主要是以可見光為中心，其分佈範圍從0.3微米 (μm)之紫外光到數微米之紅外光為主，若換算成光子的能量，則約在0.4 eV(電子伏特)到4eV之間，當光子的能量小於半導體的能隙(energy bandgap)，則光子不被半導體吸收，此時半導體對光子而言是透明的。當光子的能量大於半導體的能隙，則相當於半導體能隙的能量將被半導體吸收，產生電子-電洞對，而其餘的能量則以熱的形式消耗掉。因此製作太陽電池材料的能隙，必須要仔細地選擇，才能有效地產生電子-電洞對。一般來說，理想的太陽電池材料必須具備有下列特性：

能隙在1.1eV到1.7eV之間。
直接能隙半導體。
組成的材料無毒性。
可利用薄膜沉積的技術，並可大面積製造。
有良好的光電轉換效率。
具有長時期的穩定性。
我們知道矽的能隙為1.12eV，且矽為間接能隙半導體，它對光的吸收性不好，所以矽在這方面並非是最理想的材料，但是在另方面，矽乃地球上蘊含量第二豐富的元素，且矽本身無毒性，它的氧化物穩定又不具水溶性，因此矽在半導體工業的發展，已具有深厚的基礎，目前太陽電池仍舊以矽為主要材料。

矽原子依據不同的結晶方式，可區分成單晶矽、多晶矽及非晶矽。單晶矽的組成原子均按照一定的規則，週期性的排列，它的製作方法是把矽金屬(純度為99.999999999%，11個9)熔融於石英坩堝中，然後把晶種(seed)插入液面，以每分鐘轉2~20圈的速率旋轉，同時以每分鐘0.3~10毫米(mm)的速度緩慢的往上拉引，如此即可形成一直徑4~8吋單晶矽碇(ingot)，此製作方法稱為柴氏長晶法(Czochralski Method)。用單晶矽製成的太陽電池，效率高且性能穩定，目前已廣泛應用於太空及陸地上。

多晶矽的矽原子堆積方式不只一種，它是由多種不同排列方向的單晶所組成。多晶矽是以熔融的矽鑄造固化製成，因其製程簡單，所以成本較低。目前由多晶矽所製作出的太陽電池產量，已經逐漸超越單晶矽的太陽電池。

非晶矽乃是指矽原子的排列非常紊亂，沒有規則可循。一般非晶矽是以電漿式化學氣相沈積法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，簡稱PECVD)，在玻璃等基板上成長厚度約1微米(μm)左右的非晶矽薄膜，因為非晶矽對光的吸收性比矽強約500倍，所以對非晶矽而言只需要薄薄的一層就可以把光子的能量有效的吸收。而且不需要使用價格昂貴的結晶矽基板，改採用價格較便宜的玻璃、陶瓷或是金屬等基板，如此不僅可以節省大量的材料成本，也使得製作大面積的太陽電池成為可能(結晶矽太陽電池的面積受限於矽晶圓的尺寸)。當非晶矽太陽電池剛被發明時，由於具有低成本、製作簡易且可大面積製造等優點，有學者預言將有可能取代結晶矽太陽電池，因此曾經引起廠商的興趣投入生產，從1985年到1990年初期非晶矽太陽電池的比例曾經到達全世界太陽電池總量的三分之一。但是近幾年非晶矽太陽電池的生產比例有逐漸下滑的趨勢，影響非晶矽太陽電池發展的主要因素就是穩定度的問題。由於非晶矽材料在強烈的光線照射下，將會產生缺陷而導致電流下降(即所謂的Staebler-Wronski效應)，發生供電不穩定的問題。雖然目前有人採用雙重接面(a-Si/a-SiGe)電池來提升它的穩定度，但是，對於消費者的接受度上，仍有值得努力發展的空間。

除了上述以矽為主的太陽電池材料外，還有各種不同的化合物半導體材料陸續被研發出來。主要的材料有：GaAs、GaInP、InGaAs、CdTe、CuInSe２(CIS)、CuInGaSe２(CIGS)等。這些材料所製作出的太陽電池都有很高的效率，但是因為製程的成本較高，所以只有應用於少數特殊的用途。


  太陽電池的效率
要判別一個太陽電池性能的好壞，最重要的就是轉換效率(h)，轉換效率定義為：
  Pm          Im Vm
n=-- x 100%  = ----- x100%
  pm             Pm
其中Pin 為太陽光入射功率，Pm為最大輸出功率， Im 與Vm 分別為在最大輸出功率時的電流與電壓。
要如何製造才能提昇太陽電池的轉換效率，一直是學術界努力的目標。主要的做法可從下列幾個方向著手：

將不透光的金屬電極作成手指狀(finger)或是網狀，以減少光線的反射，使大部分的入射陽光都能進入半導體材料中。
將表面製成金字塔型的組織(pyramid texture)結構，並加入抗反射層，以減少光的反射量。
將金屬電極埋入基板中，以增加接觸面積，減少串聯電阻。
點接觸式太陽電池(point contact cell)，此電池的特點為電極均做在同一面，如此可增加入射光的面積，且易於焊線。
將太陽電池製成串疊型電池(tandem cell)，把兩個或兩個以上的元件堆疊起來，能夠吸收較高能量光譜的電池放在上層，吸收較低能量光譜的電池放在下層，透過不同材料的電池將光子的能量層層吸收。
目前實驗室所製造出的太陽電池，其轉換效率幾乎可以達到最佳的水準，只可惜他們的製造過程多半過於複雜，而且價格昂貴並未大量生產。
根據文獻的記載，目前各種太陽電池的最高效率為：

單晶矽：24.7%
多晶矽：19.8%
非晶矽：14.5%
GaAs：25.7%
CIGS：18.8%
多接面串疊型(InGaP/GaAs//InGaAs, multijunction tandem cell)：33.3%。
由於材料特性上的限制，對於結晶矽太陽電池的效率，幾乎已經達到最佳的水準，要再進一步提升的空間有限，目前比較具有成長潛力的應屬多接面的串疊型太陽電池，根據美國能源部的研究人員預測，到達2005年時，多接面的串疊型太陽電池效率將可達到40%以上。

bai188 · 发表于 2006-4-29 06:11

益通产品规格

5" Single-crystalline Solar Cell (Diagonal 150mm) Catalog
  Size: 125mm x 125mm ± 0.5mm (pseudo-square)
Diagonal: 150μm ± 1.0mm (round chamfers)
Thickness: 350μm ± 40μm
Features: 1.Advanced Process Technology
  2.High Efficiency
  3.Long Lifetime 20 years
  4.No residual dark point


Conversion Effeciency(%) Rated power(Wp) Maximum PowerCurrent(A) Maximum PowerVoltage(V) Short CircuitCurrent(A) Open CircuitVoltage(V)
ETS5100 <10 <1.47 <3.03 0.480 3.83±5﹪ 0.590±5﹪
ETS5110 10-11 1.47-1.62 3.03-3.33 0.485 4.09±5﹪ 0.590±5﹪
ETS5120 11-12 1.62-1.76 3.33-3.64 0.485 4.46±5﹪ 0.590±5﹪
ETS5130 12-13 1.76-1.91 3.64-3.90 0.485 4.71±5﹪ 0.590±5﹪
ETS5140 13-14 1.91-2.06 3.90-4.20 0.490 4.92±5﹪ 0.595±5﹪
ETS5145 14-14.5 2.06-2.13 4.20-4.31 0.495 5.06±5﹪ 0.602±5﹪
ETS5150 14.5-15 2.13-2.21 4.31-4.45 0.495 5.15±5﹪ 0.603±5﹪
ETS5155 15-15.5 2.21-2.28 4.45-4.56 0.500 5.23±5﹪ 0.605±5﹪
ETS5160 15.5-16 2.28-2.35 4.56-4.70 0.500 5.33±5﹪ 0.605±5﹪
ETS5165 16-16.5 2.35-2.43 4.70-4.85 0.500 5.49±5﹪ 0.605±5﹪
ETS5170 16.5-17 2.43-2.50 4.85-5.00 0.500 5.66±5﹪ 0.605±5﹪
ETS5175 17-17.5 2.50-2.57 5.00-5.15 0.500 5.78±5﹪ 0.610±5﹪
ETS5180 17.5-18 2.57-2.65 5.15-5.29 0.500 5.94±5﹪ 0.610±5﹪

bai188 · 发表于 2006-4-29 06:44

太陽電池的製造
為了介紹太陽能電池的製造技術，我們先由最簡單的流程，即單晶矽太陽電池的製造技術談起。製程部奏則如以下所示：

拉晶：主要的原料為二氧化矽，利用晶種在拉晶爐中成長出一單晶矽碇。
修角：一般微電子產業所用的晶圓(wafer)，是直接把單晶矽碇切片而成，但對於太陽電池而言，通常必須把許多晶片串聯成一方形陣，為了陣列排列的更緊密，大部分都先將單晶矽碇修角成四方形。
切片：用切片機將單晶矽碇切成厚度約0.5毫米的晶圓。
蝕刻及拋光：蝕刻的目的是去除在切片過程中所造成的應力層。拋光的目的是要降低微粒(particle)附著在晶圓上的可能性。
清洗：用去離子水(DI water)把晶圓表面的雜質污染物去除。
擴散：一般太陽電池均採用p型的基板，利用高溫熱擴散的處理，使p型的基板上形成一層薄薄的n型半導體。
網印或蒸鍍：將製作完成的晶圓，用銀膠印刷或是用蒸鍍的方法，在晶圓的表面接出導電電極，如此即可完成一個簡單的太陽電池。
而要如何製造才能提昇太陽電池的轉換效率，一直是學術界努力的目標。主要的做法可從下列幾個方向著手：

將電極作成手指狀(Finger)，以增加入射光的面積(圖一)。
將表面製成金字塔型的組織(Pyramid Texture)結構，並加入抗反射層，以減少光的反射量。
將金屬電極埋入基板中，以減少串聯電阻。(圖二)
因金屬與矽的接合處，有大量的缺陷，此易造成逆向飽和電流降低效率，因此製成PERL(Passivated-Emitter ,Rear Locally-diffused)，減少實際電極與矽的接觸面積。(圖三)
點接觸式太陽電池(Point Contact Cells) (圖四)，此電池的特點為電極均做在同一面，如此可增加入射光的面積，且易於焊線。
目前實驗室所製造出的太陽電池，其轉換效率幾乎可以達到最佳的水準，只可惜他們的製造過程多半過於複雜，量產不易。

bai188 · 发表于 2006-4-29 06:56

英利要加油啊!!!

PATTAYA · 发表于 2006-4-29 08:49

原帖由 投资新能源 于 2006-4-28 12:37 发表
600151控股新光硅业，51%的股权，这是上海市长和航天局长于四川省长谈判的结果，6月初公布消息。
这个消息有谁能给个说法？

以目前151的走式应该有利好消息在后面.就上海人的性格来讲,什么事情都能做的出来.挖墙角经常的事情.
上面的消息是真是假,明天问问老丁就知道了.

ccxx_710717 · 发表于 2006-4-29 09:12

都在说151，去看看151的股东，券商出货，一群农民身份证排前十，大家担心什么。QFII做不到，农民也做不到，我们是“宁予外贼，不予家奴”的文化。游资炒作，放假消息，151不出公告澄清，川投能源就出过澄清公告，喔。不是公告，是回答股民的提问吧。

畅游的鱼 · 发表于 2006-4-29 10:13

河北省委书记白克明视察天威英利
来源：天威英利新能源有限公司

2006年4月26日上午，省委书记白克明在市委书记王昆山、市长于群及其他有关省市领导的陪同下，一行30多人视察了天威英利新能源有限公司。
董事长丁强代表公司向各位领导做了汇报。在听取了国际光伏行业发展态势、二期扩建工程达产后企业经营情况以及天威英利三期工程进展情况的汇报后，白书记与在座同志进行了深入而热烈地讨论，充分肯定了公司近年来取得的优异成绩。
白克明书记就天威英利今后发展及三期工程做了重要指示，指出，“十一五”时期中央讲科学发展观，要大力发展光电。保定天威英利新能源有限公司是河北经济增长的一大新亮点，它的发展，可以带动河北装备产业的发展，将为河北产业结构调整发挥重要作用。他同时要求保定市委、市政府及省市有关部门一定要全力以赴地支持公司发展及三期工程建设。
视察期间，白书记还欣然为公司题词：发展新能源、抢占新高地！