1849到2092浪形划分。
图中绿色的5为某一级别失败的5浪。自1926开始为 3-3-5 结构的abc反弹。
大盘c4整理中,未来两天还有C5的上涨目标2100.结束abc反弹。 随心随风 发表于 2013-7-23 19:50 static/image/common/back.gif
大盘c4整理中,未来两天还有C5的上涨目标2100.结束abc反弹。
楼主的图分的好,偶喜欢 ! 奖励小红花一朵 #bb# #*29*#
两个大周期时间窗口的交汇,具备大底的可能。 :KU: 感觉楼主用5分钟不怎么靠谱吧。
本图很显然的问题是 :4进1了,这也是最近一直困惑的地方。请参看下图,这样划分就很合理了。
进入3浪了。
1约等于3加穿头破底接下来这个小5会很强。 有道理 看见楼主画5分钟我的蛋感到一阵深深的巨痛,特地注册帐号来顶你
明天开盘即开始一个小锯齿调整。
纯练习和娱乐,欢迎拍砖,吐痰和擤鼻涕。;TOUXIAO
昨天 少划了一个5-5,接下这个锯齿调整幅度不会很小。 士兰微电子推出三轴加速度传感器和三轴磁传感器
近年来,MEMS传感器在消费类电子产品中的应用呈现快速增长的趋势,在智能手机、平板电脑、笔记本电脑等智能移动终端、物联网相关的智能电子标签、智能玩具等领域得到越来越多的应用。
士兰微电子在三年多前开始进行MEMS传感器技术和产品的研发,得益于设计/制造一体的模式,士兰微电子在MEMS传感器件的设计、信号处理芯片的设计、MEMS芯片工艺制造技术、MEMS封装技术、传感器测试技术等相关的技术领域投入了全方位的研发资源,并于近期取得实质性进展,推出了三轴加速度传感器SC7A30和三轴磁传感器SC7M30。
这两款产品均采用3.0mm x 3.0mm x 1.0mm的LGA封装,可应用于智能手机和平板电脑等各种场合。更小尺寸外形(2.0mm x 2.0mm x 1.0mm)的产品即将在年内推向市场。
士兰微电子的加速度传感器采用厚多晶质量块技术方案,磁传感器采用铁电薄膜材料的各向异性磁阻效应(AMR)制作。这两类传感器的芯片制造均在士兰微电子的芯片生产线上完成,封装在士兰微电子的封装工厂进行。
经过三年多的技术研发,士兰微电子已经掌握了加速度和磁传感器研发与生产、测试各个环节的核心技术。同时,设计制造一体的模式将有利于产品质量/成本的控制,公司陆续推出的MEMS传感器产品将以其优良的性能和极具竞争力的价格打破欧美厂家的垄断。
士兰微电子的MEMS传感器研发得到了国家科技重大专项的支持,目前同时在进行的研发项目还有陀螺仪和压力传感器产品,预计今年年内还将推出三轴陀螺仪产品以及6轴/ 9轴组合传感器产品。 ;TOUXIAO
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